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FQU1N60CTU

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制造商部分
FQU1N60CTU
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
11318
在线数据表
FQU1N60CTU PDF
  • 系列:QFET®
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):600 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:1A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:11.5Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:6.2 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±30V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:170 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:I-PAK
  • 包/箱:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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