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SNSS20101JT1G

SNSS20101JT1G

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制造商部分
SNSS20101JT1G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
20V UPN LOW VCE(SAT)
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
系列
-
有存货
6000
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:NPN
电流 - 集电极 (ic) (max):1 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):20 V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:220mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大值):100nA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 100mA, 2V
功率 - 最大值:225 mW
频率转换:350MHz
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
包/箱:SC-89, SOT-490
供应商设备包:SC-89-3

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