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MMBT3906

MMBT3906

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制造商部分
MMBT3906
制造商
NTE Electronics, Inc.
描述
T-PNP SI- GEN PUR AMP
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
系列
-
有存货
2144
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bag
零件状态:Active
晶体管型:PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):200 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):40 V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:400mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大值:350 mW
频率转换:250MHz
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包:SOT-23-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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